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关于晶体管on时的逆向电流

1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的

2. npn-tr的b和c对称、和e极同样是n型。
也就是说，逆接c、e也同样有晶体管的功效。即电流由e→c流动。

3. 逆向晶体管有如下特点。

• h_fe低（正向约10%以下）
• 耐压低 (7 to 8ｖ 与v_ebo一样低)
  ↑通用tr的情况，除此之外，还有5v以下
  (突破此耐压范围，会发生h_fe低下等特性的劣化，请注意。)
• v_ce(sat)及v_be(on)的特性没有太大的变化

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关于封装功率容许功

定义：是指由于输入晶体管的电压、电流产生的功耗在元件发热时，结温tj为绝对最大额定值限定的温度(tj＝150°c)时的功率。

这里，p_c、ta、△tx、px可以由各自测定时的设定值或测定结果直接得出，但是只有tj不能直接得出。因此，如下列出使用v_be的测试方法。

v_be测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压：v_be根据温度变化。

如图2:

• 测定v_be的初始值v_be1
• 对晶体管输入功率，使pn结热饱和
• v_be的后续值：测定v_be2

从这个结果得出△v_be=v_be2-v_be1。

这里，硅晶体管根据温度具有一定的温度系数。约为ー2.2mv/ºc。
（达林顿晶体管为ー4.4mv/ºc）
因此，根据由输入功率得出△v_be，可以由以下算式得出上升的结温。

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f_t：增益带宽积、截止频率

f_t：增益带宽积指晶体管能够动作的极限频率。
所谓极限，即基极电流对集电极电流的比为1（即h_fe=1）的情况。

提高基极输入频率，h_fe变低。
这时，h_fe为1时的频率叫做f_t（增益带宽积）。
f_t指在该频率下能够工作的极限值。
但是，实际使用时能够动作的只有f_t值的1/5 to 1/10左右。

测定条件如下
f： 根据测定装置而定。为测定的标准频率。
v_ce：任意设定。我公司为一般值。
i_c：任意设定。我公司为一般值。

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