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ecogan™, 650v 11a dfn8080ak, e-mode gallium-nitride(gan) fet
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gnp1150tca-z
(新产品)

gnp1150tca-z是一款650v gan hemt，实现了业内出色的fom (ron*ciss、ron*coss)。该产品属于ecogan™ 系列产品，利用该系列产品低导通电阻和高速开关的特性，有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸；内置esd保护功能，有助于实现高可靠性的设计。另外，通过采用通用性高的dfn封装，不仅散热性能出色，还非常易于安装。

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* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
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主要规格

 
型号 | gnp1150tca-ze2
status | 推荐品
封装 | dfn8080ak
包装数量 | 3500
最小独立包装数量 | 3500
包装形态 | taping
rohs |

特性：

vds [v]

650

ids [a]

11

vgs rating [v]

6

rds(on) [mω]

150

qg [nc]

2.7

dimensions [mm]

8.0x8.0 (t=0.9)

特点：

  • 650v e-mode gan fet
  • 150mω resistance
  • 2.7nc gate charge

产品概要

 

背景

据悉，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，sic（silicon carbide：碳化硅）和gan等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年，rohm将栅极耐压高达8v的150v耐压gan hemt投入量产；2023年3月，又确立了能够更大程度地发挥出gan性能的控制ic技术。此次，为了助力各种电源系统的效率提升和小型化，rohm又推出器件性能达到业界超高水平的650v耐压gan hemt。

概要

产品是rohm与delta electronics, inc.的子公司——专注于gan元器件开发的ancora semiconductors inc.联合开发而成的，在650v gan hemt的器件性能指数（rds（on）×ciss / rds（on）×coss）方面，达到了业界超高水平。 因此，产品可以大大降低开关损耗，从而能够进一步提高电源系统的效率。另外，产品还内置esd保护器件，将抗静电能力提高至3.5kv，这将有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此新产品还具有gan hemt器件的优势——高速开关工作，从而有助于外围元器件的小型化。

应用示例

包括服务器和ac适配器在内的各种工业设备和消费电子领域的电源系统

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